檢, '中 최초 18나노 D램' 개발한 前 임원들 기소 ··· 삼성전자 5조원 날렸다

삼성전자 전직 임원·연구원들이 중국으로 이직해 수십억 원대 연봉을 받으면서 불법 유출한 국가핵심기술로 중국 최초의 18나노 D램 반도체를 개발한 혐의로 구속 상태로 재판에 넘겨졌다. 해당 기술은 삼성전자가 1조6000억 원을 투자해 세계 최초로 개발한 반도체 핵심기술이다.

1일 법조계에 따르면 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(부장검사 김윤용)는 삼성전자의 18나노 D램 공정 국가 핵심기술을 중국으로 유출해 부정사용한 혐의로 중국 청신메모리반도체(CXMT) 핵심 개발인력인 전 삼성전자 임원 양모씨, 전 삼성전자 연구원 권모씨와 신모씨 등 3명을 구속기소했다고 밝혔다. 

이들은 불법 유출한 삼성전자의 국가 핵심기술을 부정사용해 CXMT가 18나노 D램 제품을 개발할 수 있도록 도운 혐의(산업기술보호법 위반)를 받는다.

CXMT는 2016년 중국 안후이성이 2조6000억 원을 투자해 설립한 중국 최초 D램 반도체 회사다. 검찰에 따르면 양씨 등은 삼성전자에서 CXMT로 이직한 뒤 CXMT의 이른바 '2기 개발팀' 핵심 인력으로 활동했다.

수사 결과 CXMT는 설립 직후 삼성 출신들을 대거 영입해 이른바 1기 개발팀을 꾸렸다. 수사 결과에 따르면 이 과정에서 삼성 퇴직자 박모씨가 공정 정보를 노트에 직접 베껴 넘겼다. 박씨는 현재 인터폴 적색수배 중이다.

이후 양 씨 등이 포함된 2기 개발팀은 1기에서 확보한 유출 자료를 토대로 삼성전자 실제 제품을 분해·검증하고, 이를 기반으로 제조 테스트를 거쳐 중국 내 D램 개발을 완성했다.

양씨 등은 삼성전자 연봉의 3~5배에 달하는 15억~30억 원의 급여를 4~6년간 약속받고 범죄에 가담한 것으로 파악됐다.

앞서 이 사건의 '주범' 격인 삼성전자 부장 출신 김모씨는 삼성전자가 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 최신 공정기술을 빼돌려 CXMT에 넘기고 수십억대 금품을 수수한 혐의로 지난해 1월 구속기소됐다.

김씨는 1심에서 기술유출 사건 역대 최고형량인 징역 7년을 선고받고 항소해 2심에서 징역 6년에 벌금 2억 원을 선고 받았다.

한편 CXMT는 2023년 중국 최초이자 세계 4번째로 18나노 D램 양산에 성공했는데 김씨가 빼돌린 정보를 바탕으로 양씨 등이 실제 공정에 적용할 수 있도록 도왔던 덕분이라고 검찰은 보고 있다.

검찰에 따르면 이번 범행으로 인해 삼성전자가 입은 손해는 지난해 매출감소액 기준 5조 원에 이른다. 향후 수십조 원의 추가 피해가 예상돼 사상 최대 규모의 기술 유출사건이 될 전망이다.

검찰 관계자는 "피해기업과 국가 경제를 위협하는 기술 유출 범죄에 엄정 대응하겠다"며 강력한 수사 의지를 밝혔다.