‘독자 반도체 기술 유출 혐의’ 삼성전자 전 연구원 구속 기로

삼성전자의 독자 개발 반도체 기술을 유출한 혐의를 받는 전 삼성전자 연구원에 대해 경찰이 구속영장을 신청했다. 

15일 경찰에 따르면 서울경찰청 안보수사대는 산업기술보호법 위반 혐의를 받는 전 삼성전자 수석연구원 A씨에 대해구속영장을 신청했다. 

A씨는 지난 2014년 삼성전자가 독자 개발한 20나노급 D램 기술, 코드명 '볼츠만'을 중국 쓰촨성 청두의 반도체업체 '청두가오전'에 넘긴 혐의를 받는다. 

경찰은 지난해 9월말 A씨의 자택을 압수수색하는 과정에서 해당 공정도를 발견한 것으로 알려졌다. 

A씨는 경찰 조사에서 자체적으로 만든 것이라고 주장했지만 삼성전자 기술로 보인다는 게 경찰의 판단이다. 

경찰은 A씨가 '청두가오전' 최 모 대표에게 관련 기술을 넘긴 것으로 의심하고 있다. 최씨는 과거 삼성전자 임원과 하이닉스 부사장을 지냈고 지난 2021년 청두시로부터 약 4600억원을 투자받아 '청두가오전'을 설립했다. A씨는 현재 이 업체에서 반도체 공정 설계를 주도하는 핵심 임원인 것으로 전해진다. 

또 수사 과정에서 18나노 D램의 기술도 중국에 유출된 정황을 포착한 경찰은 여기에 최씨와 A씨가 연루됐는지도 들여다볼 예정이다. 

A 씨에 대한 구속영장 실질심사는 16일 오전 서울중앙지법에서 열린다.