미국 인디애나에 40억달러 이상 투자…美 AI 반도체 공급망 공략2029년 하반기 차세대 HBM 양산한국서 만든 D램 웨이퍼, 현지서 패키징·테스트
  • ▲ SK하이닉스가 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 건설 중인 인공지능(AI) 반도체 팹 현장.ⓒ연합뉴스
    ▲ SK하이닉스가 미국 인디애나주 웨스트라피엣에 건설 중인 인공지능(AI) 반도체 팹 현장.ⓒ연합뉴스
    SK하이닉스가 미국에서 고대역폭 메모리(HBM)를 생산하기 위한 첫 생산기지 건설에 돌입했다. 한국기업이 미국 내에서 HBM을 양산하는 첫 사례로, 인공지능(AI) 반도체 공급망을 둘러싼 한미 협력이 메모리 분야로 확대되는 계기가 될 전망이다.

    연합뉴스에 따르면 SK하이닉스는 27일(현지시각) 미국 인디애나주 웨스트라피엣에서 AI 메모리용 첨단 패키징 생산기지 기공식을 열었다. 40억 달러 이상이 투입되는 이 시설은 2028년 10월 클린룸을 완공하고 2029년 하반기 차세대 HBM 양산에 들어갈 예정이다.

    SK하이닉스는 양산 제품으로 HBM4E를 제시했다.

    로이터 통신은 SK하이닉스가 2029년 3분기부터 HBM4E 양산을 시작할 계획이라고 보도했다.

    인디애나 공장에서는 한국에서 생산한 D램 웨이퍼를 가져와 HBM으로 패키징하고 테스트하는 방식으로 생산이 이뤄진다. 이를 통해 미국 고객에게 '메이드 인(Made in) USA' HBM을 공급한다는 구상이다.

    공장 가동이 본격화되면 약 1000명이 근무하고, 건설과 협력업체를 포함해 약 7000개의 직·간접 일자리가 창출될 것으로 SK하이닉스는 예상했다.

    미국 정부도 반도체 공급망 강화를 위해 이 프로젝트를 지원하고 있다. SK하이닉스는 반도체법에 따라 최대 4억5800만 달러의 보조금과 최대 5억 달러의 대출 지원을 받기로 했다. 2024년 발표 당시 투자 규모는 38억7000만 달러였으나, 현재 SK하이닉스는 총 투자액을 40억 달러 이상으로 제시하고 있다.

    SK하이닉스는 생산시설과 함께 차세대 첨단 패키징 연구개발(R&D) 테스트베드도 구축한다. 이를 위해 퍼듀대학교와 HBM을 포함한 차세대 시스템 통합 및 첨단 패키징 기술 공동 연구를 위한 양해각서(MOU)를 체결했다.

    이번 투자는 AI 가속기 시장의 핵심 부품인 HBM을 미국 현지 공급망에 편입한다는 점에서 의미가 있다. SK하이닉스는 미국 내 고객과 연구기관, 소재·부품·장비 업체와 협력을 확대해 인디애나를 AI 메모리 생산과 연구개발 거점으로 육성한다는 계획이다.